چین BC850 NPN سیلیکون اپیتاکسیال ترانزیستور همه منظوره تولید کنندگان و تامین کنندگان

توضیحات محصول
مشخصات فنی
دانلود

●ترانزیستور همه منظوره همپای سیلیکونی BC850 NPN -- Topdiode

ترانزیستورهای همه منظوره 30 ولتی، 100 میلی آمپری NPN سیلیکونی BC850 NPN در بسته های پلاستیکی دستگاه نصب شده روی سطح (SMD).

●BC850 NPN سیلیکون اپیتاکسیال همه منظوره ترانزیستور مقدمه

ترانزیستور سیلیکونی همپای BC850 NPN برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت کننده به عنوان انواع مکمل ترانزیستورهای PNP BC860 توصیه می شود

●ویژگی های ترانزیستور همه منظوره سیلیکونی BC850 NPN

* جریان ضعیف

* ولتاژ پایین

* بسته های پلاستیکی SMD

* دو انتخاب به دست آوردن مختلف

* بهره جریان بالا

* ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر پایین

* نویز کم بین 30 هرتز تا 15 کیلوهرتز

* انواع مکمل: BC860 (PNP)

●BC850 NPN سیلیکون اپیتاکسیال برنامه های کاربردی ترانزیستور همه منظوره

* سوئیچینگ و تقویت همه منظوره

* برای مراحل ورودی AF و برنامه های درایور

* پردازش سیگنال

* آداپتورها

* کاربرد نورپردازی

●صلاحیت، حمل و نقل و شرایط ترانزیستور سیلیکونی همپوست BC850 NPN

* سازگار با RoHS

* مطابق با REACH

* دیود استوک معمولی BC850 موجود است

* شرایط کار قبلی، شرایط FCA یا شرایط FOB

●ترانزیستور همه منظوره همپای سیلیکونی BC850 NPN خطوط کلی و ابعاد خارجی

●BC850 NPN سیلیکون اپیتاکسیال همه منظوره ترانزیستور خصوصیات الکتریکی

حداکثر مطلق درجه بندی (Ta = 25 درجه سانتیگراد)

پارامتر

نماد

مقدار

واحد

ولتاژ پایه کلکتور

BC846

VCBO

80

V

BC847، BC850

VCBO

50

V

BC848، BC849

VCBO

30

V

ولتاژ امیتر کلکتور

BC846

مدیر عامل

65

V

BC847، BC850

مدیر عامل

45

V

BC848، BC849

مدیر عامل

30

V

ولتاژ پایه امیتر

BC846، BC847

VE BO

6

V

BC848، BC849، BC850

VE BO

5

V

جریان جمع آوری کننده

مدار مجتمع

100

mA

جریان جمع آوری اوج

ICM

200

mA

اتلاف قدرت

پتوت

300

میلی وات

دمای محل اتصال

Tj

150

OC

محدوده دمای ذخیره سازی

Tstg

- 65 تا + 150

OC

مشخصات در Ta = 25 درجه سانتی گراد

پارامتر		نماد	حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
افزایش جریان DC در VCE = 5 V، IC = 2 میلی آمپر	گروه سود فعلی A قبل از میلاد مسیح	hFE hFE hFE	110 200 420	- - -	220 450 800	- - -
جریان قطع پایه کلکتور در VCB= 30 ولت		ICBO	-	-	15	nA
ولتاژ شکست پایه کلکتور در IC = 100 µA	BC846 BC847، BC850 BC848، BC849	V(BR)CBOV(BR)CBOV(BR)CBO	80 50 30	- - -	- - -	V V V
ولتاژ خرابی امیتر کلکتور در IC = 2 میلی آمپر	BC846 BC847، BC850 BC848، BC849	V(BR)CEOV(BR)CEOV(BR)CEO	65 45 30	- - -	- - -	V V V
ولتاژ خرابی امیتر کلکتور در IC = 100 µA	BC846، BC847 BC848، BC849، BC850	V(BR)EBOV(BR)EBO	6 5	- -	- -	V V
ولتاژ اشباع امیتر کلکتور در IC = 10 میلی آمپر، IB = 0.5 میلی آمپر در IC = 100 mA، IB = 5 mA		VCEsatVCEsat	- -	- -	250 600	mV mV
امیتر پایه روی ولتاژ در VCE = 5 V، IC = 2 میلی آمپر در VCE = 5 ولت، آی سی = 10 میلی آمپر		VBE(روشن) VBE(روشن)	580 -	- -	700 720	mV mV
فرکانس انتقال در VCE = 5 ولت، IC = 10 میلی آمپر، f = 100 مگاهرتز		fT	-	300	-	مگاهرتز
ظرفیت خروجی در VCB = 10 ولت، f = 1 مگاهرتز		بلال	-	-	6	pF
ظرفیت ورودی در VEB= 0.5 ولت، f = 1 مگاهرتز		Cib	-	9	-	pF

●قطعات مرتبط با ترانزیستور سیلیکونی همپایی BC850 NPN

ترانزیستور همه منظوره همپای سیلیکونی BC850 NPN - Topdiode

سازگار با RoHS

مطابق با REACH

تگ های داغ: BC850 NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistor، تولید کنندگان، تامین کنندگان، خرید، کارخانه، موجود، عمده، نمونه رایگان، مارک ها، چین، ساخت چین، قیمت، لیست قیمت، قیمت، REACH، ROHS، کیفیت، بادوام، پیشرفته