●سیلیکون اپیتاکسیال 2N3904NPNترانزیستور همه منظوره Topdiode
2N3904 NPN ترانزیستور سیلیکونی همپایی همه منظوره، ترانزیستور دوقطبی (BJT) NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
ترانزیستور 2N3904 یک تقویت کننده و کلید NPN مسطح سیلیکونی همپایه است. محدوده دینامیکی مفید تا 100 میلی آمپر به عنوان سوئیچ و تا 100 مگاهرتز به عنوان تقویت کننده گسترش می یابد.
●2N3904 NPN معرفی ترانزیستور سیلیکونی همپایی
2N3904 یک ترانزیستور NPN است که برای اهداف عمومی از جمله سوئیچینگ و تقویت استفاده می شود. دارای سه پایانه Emitter، Base و Collector است. این یک نوع ترانزیستور اتصال دوقطبی BJT است زیرا یک ترانزیستور کنترل شده با جریان است. در 2N3904، هنگامی که پایه پایه به زمین متصل می شود، امیتر و کلکتور باز می شوند که به عنوان بایاس معکوس شناخته می شود، در حالی که امیتر و کلکتور بسته می شوند زمانی که سیگنال ها به پایه پایه منتقل می شوند، این به عنوان بایاس رو به جلو شناخته می شود.
●ویژگی های ترانزیستور همه منظوره سیلیکونی اپیتاکسیال 2N3904 NPN
* ترانزیستور مسطح همپای سیلیکونی 2N3904NPN برایبرنامه های سوئیچینگ و تقویت کننده
* به عنوان نوع مکمل، ترانزیستور PNP 2N3906 توصیه می شود
* این ترانزیستور در کیس SOT-23 با نام نوع MMBT3904 نیز موجود است.
* ترانزیستور سوئیچ بار کوچک با بهره بالا و ولتاژ اشباع کم
* ولتاژ پایه کلکتور: 50 ولت؛ ولتاژ امیتر کلکتور: 45 ولت؛ ولتاژ پایه امیتر: 5 ولت
* جریان جمع کننده: 200Ma؛ اتلاف نیرو: 625mW
●2N3904 NPN سیلیکون همبسته کاربرد ترانزیستور همه منظوره
* برنامه های سوئیچینگ و تقویت کننده
* پردازش سیگنال،
* مدیریت قدرت،
* دستگاه های قابل حمل،
* لوازم الکترونیکی مصرفی، صنعتی
●2N3904 NPN سیلیکون همپایی شرایط عمومی
* سازگار با RoHS
* مطابق با REACH
* سهام عادی
* شرایط کار قبلی، شرایط FCA یا شرایط FOB
●2N3904 NPN سیلیکون اپیتاکسیال طرح کلی و ابعاد خارجی
●2N3904 NPN سیلیکون همبسته با هدف عمومی حداکثر رتبه‌بندی‌ها و ویژگی‌های الکتریکی
حداکثر امتیازات (TA=25 درجه سانتیگراد مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد)
| نماد |
پارامتر |
مقدار |
واحدها |
| VCBO |
کلکتور-ولتاژ پایه |
60
|
V
|
| مدیر عامل |
ولتاژ کلکتور-امیتر |
40
|
V
|
| VEBO |
ولتاژ امیتر-پایه |
6
|
V
|
| مدار مجتمع |
جریان جمع آوری - پیوسته |
0.2
|
A
|
| کامپیوتر |
اتلاف برق کلکتور |
0.625
|
W
|
| تی جی |
دمای محل اتصال |
150
|
درجه سانتی گراد |
| Tstg |
دمای ذخیره سازی |
-55-150 |
درجه سانتی گراد |
ویژگی های الکتریکی (Tamb=25 درجه سانتیگراد مگر اینکه طور دیگری مشخص شده باشد)
| پارامتر |
نماد |
شرایط آزمون |
MIN |
تایپ کنید |
حداکثر |
واحد |
| ولتاژ شکست پایه کلکتور |
V(BR)CBO |
IC=10µA، IE=0 |
60
|
|
|
V
|
| ولتاژ شکست کلکتور-امیتر |
مدیر عامل V(BR) |
آی سی = 1 میلی آمپر، IB = 0 |
40
|
|
|
V
|
| ولتاژ شکست امیتر-پایه |
V(BR)EBO |
IE= 10µA، IC=0 |
6
|
|
|
V
|
| جریان قطع کلکتور |
ICBO |
VCB=60V، IE=0 |
|
|
0.1
|
μA |
| جریان قطع کلکتور |
ICEO |
VCE= 40V، IB=0 |
|
|
0.1
|
μA |
| جریان قطع امیتر |
IEBO |
VEB= 5V، IC=0 |
|
|
0.1
|
μA |
| افزایش جریان DC |
hFE1 |
VCE=1V، IC=10mA |
100
|
|
400
|
|
| hFE2 |
VCE=1V، IC=50mA |
60
|
|
|
|
| hFE3 |
VCE=1V، IC=100mA |
30
|
|
|
|
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر |
VCE (شب) |
آی سی = 50 میلی آمپر، IB = 5 میلی آمپر |
|
|
0.3
|
V
|
| ولتاژ اشباع پایه-امیتر |
VBE (شب) |
آی سی = 50 میلی آمپر، IB = 5 میلی آمپر |
|
|
0.95
|
V
|
| فرکانس انتقال |
fT |
VCE=20V،IC=10mA،f=100MHz |
300
|
|
|
MHZ |
| زمان تاخیر |
td |
VCC=3V،VBE=0.5V،
آی سی = 10 میلی آمپر، IB1 = 1 میلی آمپر |
|
|
35
|
ns |
| زمان برخاستن |
tr |
|
|
35
|
ns |
| زمان ذخیره سازی |
ts |
VCC=3V، IC=10mA
IB1=IB2=1mA |
|
|
200
|
ns |
| زمان سقوط |
tf |
|
|
50
|
ns |
طبقه بندی hFE1
| رتبه |
O
|
Y
|
G
|
| دامنه |
100-200 |
200-300 |
300-400 |
